프로토스 스페이서의 기술적 매개변수(웨이퍼용)
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안건 |
ASTM 미국재료시험협회 ASTM |
GB 테스트 표준 |
단위 |
검사 결과 |
|
용융 지수 |
D1238 |
GB3682 시리즈 |
g/10분 |
2.1 |
|
수분 흡수 |
D570 |
GB/96-04-10 |
% |
0.5 |
|
밀도 |
/ |
GB1033년 |
g/cm |
0.98 |
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인장강도 |
TD MD |
GB/96-04-10 |
MPa의 |
시차: 32.01 MD: 33.75 |
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파괴 신장률 |
TD MD |
GB/96-04-10 |
% |
시차: 702 MD: 685 |
|
표면저항 |
/ |
GJB2605-1996<1×10¹²Ω/square |
Ω/평방 |
105-9 |
|
마찰계수 |
외부 표면 |
GB/96-04-10 |
우리를 |
0.09 |
|
내면 |
우드 |
0.08 |
||
|
정전기 소산 |
5000-0V |
SJ/T10694-1996 |
비서. |
<2 |
|
열 밀봉 온도 |
/ |
GB/96-04-10 |
F |
250-375 |
|
커패시턴스 릴리스 |
E1A541 |
SJ/T10694-1996 |
V |
<15KV Voltage difference-E1A541 |
|
크기 |
GB/96-04-10 |
두께{{0}}.1±0.01mm 직경(100~300)±2mm |
||
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모습 |
GB/96-04-10 |
겹침, 주름, 뒤틀림, 갈라짐, 접착, 이물질 부착 없음 |
||
스페이서 사용의 주요 이점은 몇 마이크로미터의 정확도로 웨이퍼 사이의 간격을 제어하는 데 도움이 된다는 것입니다. 이 작은 간격은 반도체 장치가 제대로 작동하는 데 필수적입니다. 스페이서는 또한 손상이나 오염으로 이어질 수 있는 웨이퍼 간의 접촉을 방지하는 데 도움이 됩니다.
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