설명

기술적인 매개 변수

제품 설명

SOI는 Silicon On Insulator의 약자입니다. SOI 웨이퍼는 3개의 기본 레이어, 즉 장치 레이어, BOX 레이어 및 핸들 레이어로 구성됩니다. Buried Oxide 레이어라고도 불리는 BOX 레이어는 Device 레이어와 Handle 레이어 사이에 갇혀 있습니다.

트랜지스터는 SOI 웨이퍼의 속도와 효율성의 중심인 장치 레이어 상단에 형성됩니다. 이러한 트랜지스터는 전력 보존 측면에서 탁월할 뿐만 아니라 우주 광선 및 방사성 간섭과 같은 외부 요인으로부터 보호되어 데이터 손실을 줄여줍니다.

SOI 실리콘 웨이퍼는 회로에 보다 안정적이고 신뢰할 수 있는 기반을 제공하므로 마이크로프로세서와 같은 고성능 IC에 이상적입니다. 또한 효율적으로 작동하기 위해 낮은 전력 소비와 고속 데이터 전송이 필요한 무선 통신 장치에 매우 적합합니다.

전반적으로 SOI 실리콘 웨이퍼는 기존 실리콘 웨이퍼에 비해 상당한 이점을 제공하므로 현대 전자 제품 제조에 중요한 구성 요소가 됩니다.

우리는 직경 2"-12", 상단 실리콘 두께 55nm-500um, 매립 산소층 두께 175nm-16um를 제공할 수 있습니다.

Sibranch는 다음 유형의 SOI 웨이퍼를 제공합니다.

두꺼운 SOI 웨이퍼

이 유형의 웨이퍼는 장치 두께가 1μm~300μm입니다.

초박형 SOI 웨이퍼

이 유형의 웨이퍼에는 장치 두께가 있습니다.<500nm.

매우 균일한 SOI 웨이퍼

장치 두께의 균일성은 두꺼운 SOI의 경우 ±0.5μm, 초박형 SOI의 경우 ±10nm만큼 낮을 수 있습니다.

울트라 플랫 SOI 웨이퍼

이 유형의 SOI는 특정 애플리케이션에 대해 BOW/WARP/TTV가 매우 낮습니다.

지름	76, 100mm, 125mm, 150mm, 100mm, 300mm
장치 두께 및 최대 공차	76mm, 100mm, 125mm, 150mm	2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm
		50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm
		6-50 +/- .5μm
	200mm	50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm

산화물 층 두께	표준 – 0.5μm, 1μm, 2μm
산화물 층 두께	옵션 – .1 – 10μm
핸들 웨이퍼 두께	3", 100mm – 300μm 이상
	125mm, 150mm – 400μm 이상
	200mm – 500μm 이상
	공차: 표준 +/- 25μm
	특수 +/- 5μm
도펀트	N 유형 – 인, 비소, 안티몬
도펀트	P 유형 – 붕소
저항률	높은 저항률의 플로트 존 및 낮은 저항률의 CZ를 포함하여 요청 시 대부분의 저항률 제공 가능
정위	<1-0-0>기준,<1-1-1>그리고<1-1-0>요청 시 선택 사항
	표준 공차 +/- 0.5도
	+/- 0.1도만큼 낮은 특수 공차
평면 방향	모든 주요 플랫/노치는<110>평면 +/-.5도
	요청 시 더 엄격한 사양 제공 가능
	세미 표준 마이너 플랫은 76.2 및 100mm에서 표준입니다.
마치다	양면 광택 표준
마치다	선택적 뒷면 마감 - 나노 그라인드 또는 산화물
코팅	웨이퍼 양면에 산화물과 질화물을 공급할 수 있습니다.
선택적 이온 주입 매립층	매립층은 접합 계면의 활성층에 주입될 수 있습니다. 원하는 도펀트, 도펀트 농도, 원하는 에너지가 있는지 확인하세요. 이 서비스는 외부 계약업체에 의해 제공됩니다.