설명

기술적인 매개 변수

제품 설명

당사의 200mm SiC 웨이퍼는 당사 제품 라인에 새롭게 추가된 흥미로운 제품입니다. 고급 탄화규소로 제작된 이 웨이퍼는 비교할 수 없는 성능과 우수한 품질을 제공합니다. 당사의 웨이퍼는 현대 제조 공정의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었으며 다양한 응용 분야에 사용하기에 이상적입니다.

200mm의 이 웨이퍼는 사용 가능한 가장 큰 웨이퍼 중 하나이므로 향상된 확장성과 저렴한 비용을 제공합니다. 고품질 표면 마감 처리로 오랜 기간 동안 탁월한 성능과 신뢰성을 보장합니다. 또한 열전도율이 뛰어나 고온 환경에서도 성능 저하 없이 사용할 수 있습니다.

당사의 200mm SiC 웨이퍼는 매우 다재다능하며 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있습니다. 이 제품은 뛰어난 열적 특성과 높은 신뢰성으로 인해 인기 있는 선택이 되는 반도체 제조에 사용하기에 이상적입니다. 또한 성능 저하 없이 고전압 및 온도에서 작동할 수 있으므로 고급 전력 전자 장치에 사용하기에 이상적입니다.

4H N-타입 SiC 100MM, 350μm 웨이퍼 사양
문서 번호	W4H100N-4-PO(또는 CO)-350
설명	4H SiC 기판
폴리타입	4H
지름	(100+0.0-0.5)mm
두께	(350±25)μm (엔지니어링 등급 ±50μm)
캐리어 유형	n형
도펀트	질소
저항률(RT)	0.012-0.025Ω▪cm(엔지니어링 등급<0.025Ω▪cm)
웨이퍼 오리엔테이션	(4+0.5)도
	엔지니어링 등급	생산등급	생산등급
	2.1	2.2	2.3
마이크로파이프 밀도	30cm-² 이하	10cm-² 이하	1cm-² 이하
마이크로파이프가 없는 지역	명시되지 않은	96% 이상	96% 이상
오리엔테이션 플랫(OF)
정위	평행 {1-100} ±5도
오리엔테이션 플랫 길이	(32.5±2.0)mm
IF(식별 플랫)
정위	Si-면: 90도 cw, 오리엔테이션 플랫 ±5도에서
식별 평면 길이	(18.0+2.0)mm
표면	옵션 1: Si-면 표준 광택제 Epi-ready C-면 광학 광택제
	옵션 2: Si-얼굴 CMP Epi-준비, C-얼굴 광학 광택제
패키지	다중 웨이퍼(25) 배송 상자
	(요청 시 단일 웨이퍼 패키지)

6H N-TYPE SiC, 2"웨이퍼 사양
문서 번호	W6H51N-0-오후-250-S
설명	생산 등급 6H SiC 기판
폴리타입	6H
지름	(50.8±38)mm
두께	(250±25) 음
캐리어 유형	n형
도펀트	질소
저항률(RT)	0.06-0.10Ω▪CM
웨이퍼 오리엔테이션	(0+0.5)도
마이크로파이프 밀도	100cm-² 이하
오리엔테이션 플랫 오리엔테이션	평행 {1-100} ±5도
오리엔테이션 플랫 길이	(15.88±1.65)mm
식별 평면 방향	Si-얼굴: 90도 CW. 이마 방향 편평한 ±5도
식별 평면 길이	(8+1.65)mm
표면	Si-face 표준 광택제 Epi-ready
표면	C-페이스 무광택
패키지	패키지 단일 웨이퍼 패키지 또는 다중 웨이퍼 배송 상자