설명

기술적인 매개 변수

제품 설명

SiC 에피 웨이퍼는 시장에서 고품질의 첨단 반도체 제품입니다. 다양한 전자 및 광학 응용 분야에서 탁월한 성능을 제공하는 탄화규소 에피택셜 웨이퍼의 일종입니다. SiC 에피 웨이퍼는 고급 결정 성장 기술을 활용하여 제조되므로 우수한 특성을 지닌 고품질 소재가 생성됩니다.

SiC 에피 웨이퍼의 중요한 장점 중 하나는 높은 항복 전압으로, 고전력 및 고온 애플리케이션에 이상적인 선택입니다. 또한 열적, 기계적 응력에 대한 저항력이 뛰어나 열악한 환경에서도 안정성과 내구성을 보장합니다. 뛰어난 열 전도성 특성으로 인해 효율적인 열 방출이 가능해 전자 부품의 열 손상 위험이 줄어듭니다.

SiC 에피 웨이퍼는 전력 전자, 조명, 센서 등 다양한 전자 및 광전자 장치에 널리 사용됩니다. 고온 및 고전력이 요구되는 까다로운 애플리케이션에서도 탁월한 성능과 신뢰성을 제공합니다. 또한 기존 실리콘 기반 소재에 대한 친환경적이고 지속 가능한 대안으로 환경을 생각하는 소비자에게 이상적인 선택입니다.

4H N-타입 SiC 100MM, 350μm 웨이퍼 사양
문서 번호	W4H100N-4-PO(또는 CO)-350
설명	4H SiC 기판
폴리타입	4H
지름	(100+0.0-0.5)mm
두께	(350±25)μm (엔지니어링 등급 ±50μm)
캐리어 유형	n형
도펀트	질소
저항률(RT)	0.012-0.025Ω▪cm(엔지니어링 등급<0.025Ω▪cm)
웨이퍼 오리엔테이션	(4+0.5)도
	엔지니어링 등급	생산등급	생산등급
	2.1	2.2	2.3
마이크로파이프 밀도	30cm-² 이하	10cm-² 이하	1cm-² 이하
마이크로파이프가 없는 지역	명시되지 않은	96% 이상	96% 이상
오리엔테이션 플랫(OF)
정위	평행 {1-100} ±5도
오리엔테이션 플랫 길이	(32.5±2.0)mm
IF(식별 플랫)
정위	Si-면: 90도 cw, 오리엔테이션 플랫 ±5도에서
식별 평면 길이	(18.0+2.0)mm
표면	옵션 1: Si-면 표준 광택제 Epi-ready C-면 광학 광택제
	옵션 2: Si-얼굴 CMP Epi-준비, C-얼굴 광학 광택제
패키지	다중 웨이퍼(25) 배송 상자
	(요청 시 단일 웨이퍼 패키지)

6H N-TYPE SiC, 2"웨이퍼 사양
문서 번호	W6H51N-0-오후-250-S
설명	생산 등급 6H SiC 기판
폴리타입	6H
지름	(50.8±38)mm
두께	(250±25) 음
캐리어 유형	n형
도펀트	질소
비저항(RT)	0.06-0.10Ω▪CM
웨이퍼 오리엔테이션	(0+0.5)도
마이크로파이프 밀도	100cm-² 이하
오리엔테이션 플랫 오리엔테이션	평행 {1-100} ±5도
오리엔테이션 플랫 길이	(15.88±1.65)mm
식별 평면 방향	Si-얼굴: 90도 CW. 이마 방향 편평한 ±5도
식별 평면 길이	(8+1.65)mm
표면	Si-face 표준 광택제 Epi-ready
표면	C-페이스 무광택
패키지	패키지 단일 웨이퍼 패키지 또는 다중 웨이퍼 배송 상자