제품 설명
열산화 실리콘 웨이퍼는 열 산화라는 공정을 통해 이산화규소(SiO2) 층이 형성된 실리콘 웨이퍼입니다. 이 공정에는 웨이퍼를 고온에서 열과 수소, 산소 또는 할로겐 가스와 같은 산화제에 노출시키는 작업이 포함됩니다. 층은 젖거나 건조할 수 있으며 두께는 수 옹스트롬에서 20미크론까지 다양합니다.
열산화 웨이퍼는 다음과 같은 다양한 용도로 사용됩니다.
- 유전체 재료
- MEMS(마이크로 전자 기계 시스템) 장치
- 절연체 웨이퍼의 후막 실리콘에 대한 배리어
- 화학적 기계적 평탄화(CMP)
- 실리콘 기판의 표면 특성 연구
- MOS 및 기타 능동 소자 제조 공정
- 집적회로(IC) 및 마이크로칩 제조
- 도핑 공정 중 마스킹
직경 2"-12", 산화막 두께 30-1000nm, 초박형 사양 처리 가능 1-20um, 균일성 제공 가능<3%, provide detailed film thickness uniformity report, Oxidation method according to the thickness of the choice of wet oxygen or pure kilooxygen (LPCVD) and TEOS (PECVD), whether the leakage or uniformity, cleanliness and other process indicators are in the forefront of the international level, to meet the special needs of high-end customers.
제품 사진
SiBranch는 다양한 응용 분야 요구 사항을 충족하기 위해 단면 및 양면 열 산화 실리콘 웨이퍼를 제공합니다.
당사의 표준 제품은 실리콘 기판의 제어된 열 산화에 의해 형성된 양면에 균일한 이산화규소 층이 있는 양면 산화 웨이퍼입니다. 그러나 당사는 귀하의 특정 요구 사항에 맞게 맞춤화된 단면 산화 웨이퍼도 제공합니다. 이들 웨이퍼는 초기에는 양면 산화 웨이퍼이며, 이후 완충 불산 에칭액을 사용하여 이산화규소 층의 층을 선택적으로 제거합니다.
이러한 유연한 산화물 웨이퍼 제조 방식을 통해 당사는 단면 및 양면 산화물 웨이퍼의 소량 배치를 공급할 수 있습니다. 공정 개발, 재료 분석 또는 대량 생산을 위한 웨이퍼가 필요한 경우 당사는 귀하의 응용 분야에 맞는 정확한 산화물 웨이퍼 구성을 제공할 수 있습니다.
우리의 품질
이산화규소 웨이퍼는 현대 반도체에서 필수적인 고품질 유전체 재료로서 중요한 역할을 합니다. SiO2의 탁월한 절연 특성은 반도체 금속에 비해 복잡한 장치 기하학적 구조와 향상된 성능을 가능하게 합니다. 또한 산화물 층은 나노 규모 제조 과정에서 선택적 에칭 및 마스킹 작업을 용이하게 합니다.
반도체 외에도 산화물 웨이퍼는 수분 장벽, 구조 구성 요소 또는 패시베이션 층으로 MEMS(미세 전자 기계 시스템)에 통합될 수 있습니다. 당사의 산화물 웨이퍼의 품질은 MEMS 엔지니어가 이산화규소의 기계적 탄력성에 의존하여 복잡한 기계 구조와 유체 시스템을 만들 수 있도록 보장합니다.
신뢰할 수 있는 이산화규소 웨이퍼가 필요한 모든 응용 분야의 경우 SiBranch의 전문 엔지니어링과 엄격한 품질 보증을 신뢰하십시오. 지금 당사 고객 서비스 팀에 연락하여 당사의 단면 및 양면 산화물 웨이퍼가 어떻게 다음 혁신을 지원할 수 있는지 논의하십시오.
왜 우리를 선택 했습니까
당사의 제품은 세계 5대 제조업체와 국내 주요 공장에서 독점적으로 공급됩니다. 고도로 숙련된 국내외 기술팀과 엄격한 품질 관리 조치의 지원을 받습니다.
우리의 목표는 고객에게 포괄적인 일대일 지원을 제공하여 전문적이고 시의적절하며 효율적인 원활한 커뮤니케이션 채널을 보장하는 것입니다. 우리는 낮은 최소 주문 수량을 제공하고 24시간 이내에 신속한 배송을 보장합니다.
공장 쇼
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우리의 인증서
저희 회사는 특허증, ISO9001 인증, 국가첨단기술기업 인증 등 다양한 인증을 획득한 것에 자부심을 갖고 있습니다. 이러한 인증은 혁신, 품질 관리 및 우수성에 대한 헌신에 대한 우리의 헌신을 나타냅니다.
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