FZ 실리콘 웨이퍼

FZ Silicon Wafer는 FZ(Float Zone) 방식으로 제작된 고품질 제품입니다. 이 방법에는 실리콘 단결정을 녹인 다음 느리고 제어된 속도로 용융물에서 끌어올리는 방법이 포함됩니다.

설명

기술적인 매개 변수

제품 설명

FZ Silicon Wafer는 FZ(Float Zone) 방식으로 제작된 고품질 제품입니다. 이 방법에는 실리콘 단결정을 녹인 다음 느리고 제어된 속도로 용융물에서 끌어올리는 방법이 포함됩니다. 그 결과 우수한 전기적 특성을 지닌 순수하고 결함이 없는 반도체 재료가 탄생합니다.

FZ 실리콘 웨이퍼는 반도체 산업에서 집적 회로, 태양 전지, 센서 등의 생산과 같은 다양한 응용 분야에 널리 사용됩니다. 웨이퍼의 순도가 높고 결함 밀도가 낮기 때문에 정확하고 안정적인 성능이 필요한 고성능 전자 장치에 이상적입니다.

FZ Silicon Wafer는 또한 우수한 재료 균일성과 표면 마감을 자랑하여 성능과 신뢰성을 더욱 향상시킵니다. 웨이퍼는 다양한 응용 분야와 요구 사항에 맞게 다양한 직경과 두께로 제공됩니다.

전반적으로 FZ 실리콘 웨이퍼는 고품질 전자 장치 제조에 필수적인 구성 요소입니다. 탁월한 특성은 더 나은 성능, 효율성 및 신뢰성에 기여하므로 반도체 산업에 없어서는 안 될 소재입니다.

성장	CZ, MCZ, FZ
등급	프라임, 테스트, 더미 등
지름	10mm, 12.7mm, 1.5″, 35mm, 40mm, 2.5″와 같은 다른 직경도 가능합니다.
두께	50~3000um
마치다	절단, 랩핑, 에칭, SSP, DSP 등
정위	(100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) 등
오프 컷	최대 4도
종류/도펀트	P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, 고유
비저항	FZ: 최대 20k ohm-cm
비저항	CZ/MCZ: 0.001 ~ 150ohm-cm
박막	* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo 등
	* PECVD: 산화물, 질화물, SiC 등
	* 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 에피택셜 서비스(SOS, GaN, GOI 등).
프로세스	DSP, 초박형, 초박형 등
	소형화, 백그라인딩, 다이싱 등
	MEMS (모스)