제품 설명
탄화규소(SiC) 웨이퍼 및 기판은 높은 열 전도성, 탁월한 기계적 강도 및 넓은 밴드갭으로 알려진 화합물인 탄화규소로 만든 반도체 기술에 사용되는 특수 재료입니다. 매우 단단하고 가벼운 SiC 웨이퍼 및 기판은 전력 전자 장치 및 무선 주파수 부품과 같은 고전력, 고주파 전자 장치를 제조하기 위한 견고한 기반을 제공합니다.
실리콘 카바이드 웨이퍼의 고유한 특성은 고온 작동, 열악한 환경 및 향상된 에너지 효율성이 필요한 응용 분야에 이상적입니다.
기존 Si 장치에 비해 SiC 기반 전력 장치는 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 전압, 더 낮은 기생 저항, 더 작은 크기, 고온 성능으로 인해 필요한 냉각량이 적습니다.
당사의 탄화규소 웨이퍼는 다양한 크기와 사양으로 제공되므로 고객은 특정 요구 사항에 가장 적합한 옵션을 선택할 수 있습니다. 우리는 베어 웨이퍼와 에피택셜 웨이퍼를 모두 제공하며 모든 프로젝트의 요구 사항을 충족하도록 제품을 맞춤화할 수 있습니다.
SiBranch에서는 고객에게 최고 수준의 서비스와 지원을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 당사의 전문가 팀은 항상 모든 질문에 답변하고 귀하의 프로젝트에 가장 적합한 제품과 솔루션에 대한 지침을 제공할 수 있습니다. SiBranch는 고객의 다양한 요구를 충족시키기 위해 다양한 제품과 서비스를 제공합니다. 지금 저희에게 연락하여 당사 제품에 대한 자세한 내용과 귀하의 목표 달성에 당사가 어떻게 도움을 드릴 수 있는지 알아보십시오.
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4H N-타입 SiC 100MM, 350μm 웨이퍼 사양 |
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문서 번호 |
W4H100N-4-PO(또는 CO)-350 |
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설명 |
4H SiC 기판 |
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폴리타입 |
4H |
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지름 |
(100+0.0-0.5)mm |
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두께 |
(350±25)μm (엔지니어링 등급 ±50μm) |
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캐리어 유형 |
n형 |
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도펀트 |
질소 |
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저항률(RT) |
0.012-0.025Ω▪cm(엔지니어링 등급<0.025Ω▪cm) |
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웨이퍼 오리엔테이션 |
(4+0.5)도 |
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엔지니어링 등급 |
생산등급 |
생산등급 |
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2.1 |
2.2 |
2.3 |
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마이크로파이프 밀도 |
30cm-² 이하 |
10cm-² 이하 |
1cm-² 이하 |
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마이크로파이프가 없는 지역 |
명시되지 않은 |
96% 이상 |
96% 이상 |
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오리엔테이션 플랫(OF) |
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정위 |
평행 {1-100} ±5도 |
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오리엔테이션 플랫 길이 |
(32.5±2.0)mm |
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IF(식별 플랫) |
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정위 |
Si-면: 90도 cw, 오리엔테이션 플랫 ±5도에서 |
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식별 평면 길이 |
(18.0+2.0)mm
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표면 |
옵션 1: Si-면 표준 광택제 Epi-ready C-면 광학 광택제 |
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옵션 2: Si-얼굴 CMP Epi-준비, C-얼굴 광학 광택제 |
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패키지 |
다중 웨이퍼(25) 배송 상자 |
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(요청 시 단일 웨이퍼 패키지 제공) |
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6H N-TYPE SiC, 2"웨이퍼 사양 |
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문서 번호 |
W6H51N-0-오후-250-S |
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설명 |
생산 등급 6H SiC 기판 |
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폴리타입 |
6H |
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지름 |
(50.8±38)mm |
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두께 |
(250±25) 음 |
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캐리어 유형 |
n형 |
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도펀트 |
질소 |
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비저항(RT) |
0.06-0.10Ω▪CM |
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웨이퍼 오리엔테이션 |
(0+0.5)도 |
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마이크로파이프 밀도 |
100cm-² 이하 |
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오리엔테이션 플랫 오리엔테이션 |
평행 {1-100} ±5도 |
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오리엔테이션 플랫 길이 |
(15.88±1.65)mm |
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식별 평면 방향 |
Si-얼굴: 90도 CW. 이마 방향 편평한 ±5도 |
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식별 평면 길이 |
(8+1.65)mm |
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표면 |
Si-face 표준 광택제 Epi-ready |
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C-페이스 무광택 |
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패키지 |
패키지 단일 웨이퍼 패키지 또는 다중 웨이퍼 배송 상자 |
제품 사진
실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼는 고온, 고전압, 고주파수 작동이 필요한 전자 및 광전자 장치 생산에 사용되는 반도체 재료의 일종입니다. SiC는 밴드갭이 넓은 반도체 소재로, 실리콘과 같은 기존 반도체보다 항복 전압이 더 높고 더 높은 온도에서 작동할 수 있습니다.
SiC 웨이퍼는 일반적으로 PVT(물리적 기상 수송) 또는 CVD(화학적 기상 증착) 방법을 사용하여 생산됩니다. PVT 방식에서는 SiC의 종결정을 고온로에 넣고 원료 물질(일반적으로 실리콘이나 탄소)을 기화될 때까지 가열합니다. 증기는 캐리어 가스(일반적으로 아르곤)에 의해 운반되어 시드 결정에 증착되어 단결정 SiC 층을 형성합니다. CVD 방법에서는 실리콘과 탄소 전구체를 포함하는 가스 혼합물을 고온에서 반응시켜 SiC 층을 기판에 증착합니다.
SiC 결정이 성장한 후에는 얇은 웨이퍼로 자르고 높은 수준의 평탄도와 매끄러움을 갖도록 연마됩니다. 생성된 SiC 웨이퍼는 추가 반도체 층의 성장을 위한 플랫폼으로 사용될 수 있으며, 불순물로 도핑되어 장치 제조를 위한 p형 및 n형 영역을 생성할 수 있습니다.
SiC 웨이퍼는 실리콘과 같은 다른 반도체 소재에 비해 몇 가지 장점이 있습니다. SiC는 열 전도성이 더 높기 때문에 열 파괴 없이 더 높은 온도에서 작동할 수 있습니다. 또한 SiC는 항복 전압이 더 높고 실리콘보다 더 높은 전압과 주파수에서 작동할 수 있어 고전력 전자 장치 및 고주파 장치와 같은 응용 분야에 적합합니다.
SiC 웨이퍼 속성에 대한 심층 분석
SiC 웨이퍼의 고유한 전자 밴드 구조는 탁월한 특성의 핵심입니다. 넓은 밴드갭은 전자가 극복해야 할 높은 장애물을 생성하여 두 가지 주요 이점을 제공합니다.
고온 안정성:고유 캐리어 농도가 낮다는 것은 SiC 장치가 상당한 누설 전류 없이 높은 온도에서 작동할 수 있다는 것을 의미하므로 까다로운 환경에 이상적입니다.
높은 항복 전기장:넓은 밴드갭은 또한 높은 전압을 견딜 수 있는 강력한 능력에 기여하여 높은 차단 전압과 낮은 온 상태 저항을 갖춘 장치를 가능하게 합니다.
전기적 특성 외에도 SiC 웨이퍼는 열적, 기계적 측면에서도 뛰어납니다.
효율적인 열 방출:탁월한 열전도율 덕분에 SiC는 고전력 애플리케이션의 중요한 기능인 열을 효율적으로 방출할 수 있습니다.
가혹한 환경에서의 내구성:높은 기계적 강도와 경도로 인해 SiC는 마모에 강하고 까다로운 환경에 적합합니다.
SiC는 실리콘과 탄소 원자의 적층 배열로 구별되는 폴리타입이라는 다양한 형태로 제공됩니다. 이 중에서 4H-SiC와 6H-SiC가 전자공학 분야에서 가장 두드러진다.
4H-SiC:우수한 전자 이동성과 더 넓은 밴드갭으로 인해 전력 전자 장치에 선호되며 더 높은 효율과 성능을 제공합니다.
6H-SiC:더 높은 정공 이동도와 약간 더 좁은 밴드갭으로 인해 고온 및 고주파 장치에 응용됩니다.
폴리타입 선택은 특정 애플리케이션의 요구 사항에 따라 달라집니다. 원하는 전기적 특성, 작동 조건, 목표 장치 성능과 같은 요소는 모두 최적의 SiC 웨이퍼 유형을 선택하는 데 중요한 역할을 합니다.
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