4,6,8인치 실리콘 웨이퍼 재고 업데이트_20240311 SOI

Mar 12, 2024메시지를 남겨주세요

많은	제품	지름	결정	유형	도펀트	정위	두께	저항력
G8P131	소이	200	체코	P	B	100	725±15	14~19	디바이스 : 55±7.5nm, 8~12 ohm.cm / 박스 : 145±10nm, 노치<110>
C19404-3-2	소이	200	체코	해당 없음	해당 없음	100	725±15	>750	장치 : 210~230nm, 8~12 ohm.cm / 상자 : 2950~3050nm
G8P238S	소이	200	체코	P	B	100	725±15	14~19	장치 : 200~240nm, 8~12 ohm.cm / 상자 : 1950~2050nm
G8P217	소이	200	체코	해당 없음	해당 없음	100	725±15	>750	소자 : 210~230nm, P<100>, 8~12 ohm.cm / 박스 : 1950~2050nm
G8P500	소이	200	체코	P	B	100	725±15	8~12	장치 : 500±50nm / 상자 : 2950~3050nm, 노치 방향<110>
G8P600	소이	200	체코	P	B	100	725±15	8~12	장치 : 600±60nm / 상자 : 2950~3050nm, 노치 방향<110>
G8P340	소이	200	체코	P	B	100	725±15	8~12	장치 : 340±25nm / 상자 : 2900~3100nm, 노치 방향<110>
G8P288	소이	200	체코	P	B	100	725±15	>1000	디바이스 : 145±12.5nm, 8~12 ohm.cm / 박스 : 400±25nm,노치<110>
G8M107	소이	200	체코	N	Ph	100	725±15	0.3~1.2	장치 : 1500±80nm, P/B<100>, 14~22 ohm-cm / 박스 : 950~1050nm,노치<100>
230300058	소이	150	체코	P	B	100	450±5	1~10	장치 : 15μm±0.5μm P 0.01~0.02 / 상자 : 5μm±5%,DSP
1511032	소이	100	체코	N		100	475±25	해당 없음	장치 : 20μm±0.5 N 0.001~0.02 / 상자 : 15μm±3%
G8N70	소이	200	체코	N	Ph	100	725±10	1~10	장치 : 70μm±5% / 상자 : 1000nm±5%
G8K00318	소이	200	체코	P	B	100	625±10	>1000	장치 : 1.5±0.5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	소이	200	체코	P	B	100	725±15	8.5~11.5	장치 : 1250±100nm / 박스 : 400±40nm
112301	소이	100	체코	N	Sb	100	300	0.005~0.025	장치 : 30μm / 상자 : 0.5μm
G6P163S	소이	150	체코	P	B	100	675±15	10~20	장치 : 200~240nm, 10~20 ohm.cm / 상자 : 2850~3150nm