설명

기술적인 매개 변수

제품 설명

실리콘 웨이퍼 기판은 다양한 전자 기기의 기초가 되는 고품질 소재입니다. 순수 실리콘으로 제작된 이 기판은 마이크로칩, 태양전지 및 기타 반도체 제조에 필수적인 구성 요소입니다.

우수한 전기 전도성과 낮은 불순물 수준을 갖춘 실리콘 웨이퍼 기판은 전자 회로의 안정적인 기반을 제공합니다. 이는 집적 회로, 컴퓨터 칩 및 기타 전자 부품 생산을 위해 반도체 산업에서 널리 사용됩니다.

실리콘 웨이퍼 기판은 전자공학에서의 역할 외에도 태양전지 생산에 사용되는 핵심 소재이기도 합니다. 실리콘의 순도가 높기 때문에 햇빛을 전기 에너지로 효율적으로 변환할 수 있어 재생 에너지 응용 분야에 이상적인 소재입니다.

Sibranch는 고객에게 고품질 실리콘 웨이퍼 기판을 제공하는 것에 자부심을 갖고 있습니다. 당사의 제품은 최고급 재료로 만들어졌으며 최적의 성능을 보장하기 위해 엄격한 테스트를 거쳤습니다. 우리는 다양한 응용 분야의 요구 사항을 충족하기 위해 다양한 크기와 사양을 제공하며, 우리의 전문가 팀은 항상 기술 지원과 지침을 제공할 수 있습니다.

전자 또는 재생 에너지 응용 분야를 위한 안정적이고 효율적인 기판을 찾고 있다면 Sibranch의 실리콘 웨이퍼 기판보다 더 나은 것을 찾지 마십시오. 품질과 혁신에 대한 우리의 약속을 통해 우리 제품이 귀하의 기대를 뛰어넘을 것이라고 확신합니다.

* Sibranch는 반도체 기판 종합 서비스 제공업체입니다.

* 소량, 특수사양 제품, 맞춤형 서비스를 제공합니다.

* 당사 제품에는 1-12인치 실리콘 웨이퍼(더미, 테스트, 제품 등급), SiC, GaN, LN & LT 및 GaAs, InP 기판 등이 포함됩니다.

* 맞춤형 서비스로 실리콘 웨이퍼 산화막, 질화막, 금속막, EPI, 맞춤형 초후형, 초평형, 단면/양면 연마, 박형화, 다이싱 서비스 등도 처리 가능합니다.

성장	CZ, MCZ, FZ
등급	프라임, 테스트, 더미 등
지름	1-12인치
두께	50~3000um
마치다	컷, 래핑, DSP(300nm, 200nm, 120nm, 90nm, 65nm, 37nm) 등
정위	(100) (111) (110) (531) (553) 등
오프컷	최대 4도
종류/도펀트	P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, 고유
비저항	CZ/MCZ: 0.001 ~ 200ohm-cm
비저항	FZ: 최대 5000ohm-cm
박막	* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo. 등, 코팅 두께 최대 20, 000 Å / ± 5 %
	* LPCVD/PECVD: 산화물, 질화물, SiC 등, 코팅 두께 최대 200, 000 Å / ± 3 %
	* 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 에피택셜 서비스(SOS, GaN, GOI 등).
프로세스	DSP, 초박형, 초박형 등
	소형화, 백그라인딩, 다이싱 등
	MEMS